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中国5G芯片关键材料获突破 处于国际领先水平
2019-07-30 17:51:42 来源:翟家巴首网  作者:
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据介绍,氮化镓半导体材料具有宽带隙、高击穿场强、高热导率、低介电常数、高电子饱和漂移速度、强抗辐射能力和良好化学稳定性等优越物理化学性质。成为继第一代半导体硅、第二代半导体砷化镓之后制备新一代微电子器件和电路的关键材料,特别适合于高频率、大功率、高温和抗辐照电子器件与电路的研制。

西安电子科技大学芜湖研究院依托于西电宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,研发出全国产的基于碳化硅衬底的氮化镓材料,目前在国际第三代半导体技术领域处于领先水平,将助力5G通信制造领域的国产化进程。西电芜湖研究院技术总监陈兴表示,研究院目前已经掌握了氮化镓材料的生产和5G通信芯片的核心设计与制造能力。下一步他们将尽快将这项技术商用,力争早日推向市场。

北方某地农村改厕的过程中,有决策部门的干部主张当地全部推行双瓮式厕所,结果导致冬季管道上冻影响使用。还有干部坐在办公室里绘制农村灌溉沟渠走向图,结果正好与耕地走向交叉,致使相邻地块灌溉用水还得借道而行。

1978年,中国科学院在北京创办了新中国第一所研究生院,这便是国科大的前身。截至目前,国科大已累计授予16万余名研究生硕士、博士学位,其中授予博士学位近8万名;授予290名本科生学士学位。40年来,所培养的学生有108名当选为两院院士,国家杰出青年基金获得者中有25%是国科大的毕业生。

芜湖新闻网2月21日消息,记者近日从西安电子科技大学芜湖研究院获悉,作为芜湖大院大所合作的重点项目,国产化5G通信芯片用氮化镓材料日前在西电芜湖研究院试制成功,这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片,有望用上国产材料。

6月初以来,陆军各院校陆续举行实战化毕业综合演练,锤炼学员过硬指挥作战能力。演练中,各院校紧贴实战需求,凸显“难”“严”标准,不仅实现了学员岗前“淬火”,更检验了院校实战化教学成果。

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